Ota tabanlı birinci dereceden filtre tasarımları ve osilatör uygulaması
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Isparta Uygulamalı Bilimler Üniversitesi, Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2022
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: AYGÜN VAROL
Danışman: Abdülkadir ÇAKIR
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Bu çalışmada elektronik sinyalleri işlemek amacıyla birinci dereceden filtre konfigürasyonları, osilatör tasarlanmış, bu tasarımlara ait simülasyonlar ve devre uygulaması gerçekleştirilmiştir. Bu tasarımlarda, mümkün olan en az devre elemanı kullanılması önemli olduğundan yapılan çalışmada işlemsel geçiş iletkenli yükselteç (OTA) aktif yapısal bloğu tercih edilmiştir. Gerçekleştirilen çalışmada ilk olarak birinci dereceden devre konfigürasyonları kapsamında iki adet OTA yapısal bloğundan oluşan birinci dereceden akım modlu evrensel filtre tasarlanmıştır. Filtre akım girişli ve akım çıkışlı olması nedeniyle farklı modtaki eşdeğerlerine göre daha az güç tüketmektedir. Filtrenin kesim frekansı (fo) 150 kHz, tükettiği güç 1.04 mW'tır. İkinci çalışmada iki adet OTA yapısal bloğu kullanan birinci dereceden gerilim modlu alçak geçiren filtre tasarlanmıştır. Filtrenin kazancı ayarlanabilirdir. Kesim frekansı (fo) 1.59 MHz ve tükettiği güç 1.03 mW'tır. Üçüncü çalışmada ise OTA tabanlı transempedans modlu alçak geçiren, yüksek geçiren ve tüm geçiren filtre cevaplarının tamamını veren ve bu filtre cevaplarını aynı anda üretebilen üç adet OTA yapısal bloğundan oluşan evrensel filtre tasarlanmıştır. Filtrenin kesim frekansı (fo) 3 MHz ve tükettiği güç 1.55 mW'tır. Gerçekleştirilen transempedans ve akım modlu filtrelerde yüzen eleman bulunmadığından entegre devre yapısına uygundurlar. Transempedans modlu filtre topolojisinden sinüzoidal kuadratör osilatör devresi türetilmiştir. Osilatörün osilasyon frekansı 3.97 MHz, tükettiği güç 1.95 mW'tır. Yapılan çalışmalarda farklı modlarda çalışan üç adet birinci dereceden filtre tasarımı yapılmıştır. Çalışmaların, besleme gerilimleri ±0.75 V ve kullandıkları transistör teknolojisi 0.18 µm'dir. Gerçekleştirilen çalışmaların teorik sonuçları SPICE devre simülasyonu programıyla ve yapılan deneyle doğrulanmıştır.